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Catalogue » Composants » Transistors
Photo Prix Désignation
BUL810 , ST - Si-N 1000V 15A 125w
Stock: 0

BUL810 , ST - Si-N 1000V 15A 125w
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2SC2086-MIT - Si-N 75V 1A 0.45w/27MHz
Stock: 0

2SC2086-MIT - Si-N 75V 1A 0.45w/27MHz
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Stock: 0

MTD3055V1 ph Transistor
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2SA1803 , Toshiba - Si-P 80V 6A 55W 30MHz
Stock: 0

2SA1803 , Toshiba - Si-P 80V 6A 55W 30MHz
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BU508AX , Philips - Si-N 1500V 8A 34W 0.7us
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BU508AX , Philips - Si-N 1500V 8A 34W 0.7us
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2SK1461 , Sanyo - N-FET 900V 5A 120W 3.6r 6
Stock: 0

2SK1461 , Sanyo - N-FET 900V 5A 120W 3.6r 6
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BU810 - n-darl+d 600V 7A 75w
Stock: 0

BU810 - n-darl+d 600V 7A 75w
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BUT18AF , Philips - Si-N 1000V 6A 33W 0.8us
Stock: 0

BUT18AF , Philips - Si-N 1000V 6A 33W 0.8us
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IRFPE50 , IR - N-FET 900V 7.8A 190W <1e2
Stock: 0

IRFPE50 , IR - N-FET 900V 7.8A 190W <1e2
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MJ4035 , ST - n-darl 100V 16A 150W
Stock: 0

MJ4035 , ST - n-darl 100V 16A 150W
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p/n-array 30V 1A b>100
Stock: 0

p/n-array 30V 1A b>100
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Stock: 0

IRFP140 - MOSFET de Puissance N-channel 100V-28A
type n°: IRFP140description: n-chvaleurs nominales: 100V-28A-180Wboîtier: TO3P
2SD1830 , Sanyo - n-darl+d 110V 8A 30W b=4K
Stock: 0

2SD1830 , Sanyo - n-darl+d 110V 8A 30W b=4K
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2SD2386 - n-darl 140V 7A 70W b>5K
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2SD2386 - n-darl 140V 7A 70W b>5K
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2SD2389 , Sanken - n-darl 160V 10A 100W b>5K
Stock: 0

2SD2389 , Sanken - n-darl 160V 10A 100W b>5K
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2SK1378 , Toshiba - N-FET 400V 10A 125W 0.55e
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2SK1378 , Toshiba - N-FET 400V 10A 125W 0.55e
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2SK725-FEC - N-FET 500V 15A 125W 0e38
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2SK725-FEC - N-FET 500V 15A 125W 0e38
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BU2708AF , Philips - Si-N 1700V 8A 45w
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MJ4032 , ST - p-darl 100V 10A 150W
Stock: 0

MJ4032 , ST - p-darl 100V 10A 150W
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2SB1624 , Sanken - p-darl 110V 6A 60W b>5K
Stock: 0

2SB1624 , Sanken - p-darl 110V 6A 60W b>5K
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2SD1213 , Sanyo - Si-N 60V 20A 60W 20ns 120
Stock: 0

2SD1213 , Sanyo - Si-N 60V 20A 60W 20ns 120
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Stock: 0

2SD1739 - Si-N 1500/700V 6A 100W
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BUT12AF , Philips - Si-N 1000V 8A 23W 0.8us
Stock: 0

BUT12AF , Philips - Si-N 1000V 8A 23W 0.8us
SI-N 1000V 8A 23W 0.8us . ISO220Philips.
IRFPF40 , IR - N-FET 900V 4.7A 150W <2e5
Stock: 0

IRFPF40 , IR - N-FET 900V 4.7A 150W <2e5
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IRFP350 - MOSFET de Puissance N-channel 400V-15A
type n°: IRFP350description: n-chvaleurs nominales: 400V-16A-180Wboîtier: TO3P

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IRFP9140 - MOSFET de Puissance P-ch 100V-19A
type n°: IRFP9140description: p-chvaleurs nominales: 100V-19A-150Wboîtier: TO3P
2SC5149 , Toshiba - Si-N+d 1500V 8A 50W 0.2us
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2SC5149 , Toshiba - Si-N+d 1500V 8A 50W 0.2us
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BFX34 - Si-N 60V 5A 0.87w
Stock: 0

BFX34 - Si-N 60V 5A 0.87w
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IRFP054 , IR - N-FET 60V 70A 230W <0e014
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IRFP054 , IR - N-FET 60V 70A 230W <0e014
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2SA1227A , NEC - Si-P 140V 12A 120W 60MHz
Stock: 0

2SA1227A , NEC - Si-P 140V 12A 120W 60MHz
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2SC4123 , Sanyo - Si-N+d 1500V 7A 60W
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2SD1439 , MAT - Si-N+d 1500V 3A 50W
Stock: 0

2SD1439 , MAT - Si-N+d 1500V 3A 50W
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2SD2141 , Sanken - n-darl+d 380V 6A 35W b>15
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2SD2141 , Sanken - n-darl+d 380V 6A 35W b>15
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BU406D - Si-N+d 400V 7A 65W 0.75us
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BU406D - Si-N+d 400V 7A 65W 0.75us
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MSA-0886 - wideband amplifier 1ghz
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BU4508AF , Philips - Si-N 1500V 8A 45W 0.35us
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BU4508AF , Philips - Si-N 1500V 8A 45W 0.35us
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P6NB80FP - N-FET 800V 5A 40W 1.9e
Stock: 0

P6NB80FP - N-FET 800V 5A 40W 1.9e
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MJ3001 - Transistor Au Silicium Npn 80V-10A-150w
type n°: MJ3001description: si-npnvaleurs nominales: 80V-10A-150Wremarques: -
2SA1293 , Toshiba - Si-P 100V 5A 30W 60MHz
Stock: 0

2SA1293 , Toshiba - Si-P 100V 5A 30W 60MHz
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2SC4532/DIV - Si-N 1700V 10A 200W 0.2us
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2SC4532/DIV - Si-N 1700V 10A 200W 0.2us
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Stock: 0

2SC5002 , Sanken - Si-N 1500V 7A 80W
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2SK1358/DIV - N-FET 900V 9A 150W 1.4e
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2SK1358/DIV - N-FET 900V 9A 150W 1.4e
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2SK2038 , Toshiba - N-FET 800V 5A 125W 2e2
Stock: 0

2SK2038 , Toshiba - N-FET 800V 5A 125W 2e2
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BU2527DX , Philips - Si-N+d 1500V 12A 45W 0.2u
Stock: 0

BU2527DX , Philips - Si-N+d 1500V 12A 45W 0.2u
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MJ3001 , ST - n-darl 80V 10A 150W
Stock: 0

MJ3001 , ST - n-darl 80V 10A 150W
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BFS22A , Philips - Si-N 3V 0.75A 4W 175MHz
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BU180A/DIV - Si-N+d 400V 10A
Stock: 0

BU180A/DIV - Si-N+d 400V 10A
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