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Catalogue » Composants » Transistors
Photo Prix Désignation
S1854
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S1854
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BUZ80A - MOSFET de Puissance N-channel 800V-3A
type n°: BUZ80Adescription: sie n-chvaleurs nominales: 800V-3A-75Wboîtier: TO220
2SC3310 , Toshiba - Si-N 500V 5A 30W 1us
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2SC3310 , Toshiba - Si-N 500V 5A 30W 1us
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fet
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fet
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2SK1257 , MAT - N-FET 60V 40A 45W 0.05e
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2SK1257 , MAT - N-FET 60V 40A 45W 0.05e
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2SK1388-FEC - N-FET 30V 35A 60W <e022
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2SK1388-FEC - N-FET 30V 35A 60W
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2SK2333-SHI - N-FET 700V 6A 50W <2e
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2SK2333-SHI - N-FET 700V 6A 50W <2e
FET. N-FET 700V 6A 50W Case:ISO220. Brand:SHI.
BDV65C - n-darl+d 120V 20A 125W b>
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BDV65C - n-darl+d 120V 20A 125W b>
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BU2525A , Philips - Si-N 1500V 12A   0.2us
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BU2525A , Philips - Si-N 1500V 12A 0.2us
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BUW11A - Si-N 1000V 5A 100W 0.8us
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BUW11A - Si-N 1000V 5A 100W 0.8us
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2SA1726 , Sanken - Si-P 80V 6A 50W 20MHz
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2SA1726 , Sanken - Si-P 80V 6A 50W 20MHz
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2SD1785 , Sanken - n-darl+d 120V 6A 30W 100m
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2SD1785 , Sanken - n-darl+d 120V 6A 30W 100m
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BUZ73A - MOSFET de Puissance N-channel 200V-5.5A
type n°: BUZ73Adescription: sie n-chvaleurs nominales: 200V-7A-40Wboîtier: TO220
2SB1100 , NEC - p-darl+d 100V 10A 30W b=6
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2SB1100 , NEC - p-darl+d 100V 10A 30W b=6
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2SC2440 - Si-N 450V 5A 40W
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2SC2440 - Si-N 450V 5A 40W
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2SC3954 , Sanyo - Si-N 120V 0.3A 8W 400MHz
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2SC3954 , Sanyo - Si-N 120V 0.3A 8W 400MHz
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2SD1272 - Si-N 200V 1A 40W 25MHz
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2SD1272 - Si-N 200V 1A 40W 25MHz
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2SD1887 , Sanyo - Si-N 1500/800V 10A
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2SK125 , Sony - N-FET 25V 0.1A 0.3w
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2SK125 , Sony - N-FET 25V 0.1A 0.3w
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2SA1962 - Si-P 230V 15A 130W 30MHz
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2SA1962 - Si-P 230V 15A 130W 30MHz
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2SC5696 , Sanyo - Si-N 1600V 12A 85W 0.3us
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2SC5696 , Sanyo - Si-N 1600V 12A 85W 0.3us
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2SC5698 , Sanyo - Si-N+d 1500V 8A 65W 0.2us
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2SC5698 , Sanyo - Si-N+d 1500V 8A 65W 0.2us
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2SC3831 , Sanken - Si-N 500V 10A 100W
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2SC3831 , Sanken - Si-N 500V 10A 100W
DIODE. SI-N 500V 10A 100W Boîtier: SOT93. Marque: Sanken.
BUL54A - Si-N 1000V 4A 65W 20MHz
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BUL54A - Si-N 1000V 4A 65W 20MHz
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BU508DF , Sanyo - Si-N+d 1500V 8A 34W 0.7us
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BU508DF , Sanyo - Si-N+d 1500V 8A 34W 0.7us
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2SA1186 , Sanken - Si-P 150V 10A 100W
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2SA1186 , Sanken - Si-P 150V 10A 100W
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2SC3263 , Sanken - Si-N 230V 15A 130W
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2SC3263 , Sanken - Si-N 230V 15A 130W
SI-N 230V 15A 130W.
2SD1064 , Sanyo - Si-N 60V 12A 80W 50ns 10m
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2SD1064 , Sanyo - Si-N 60V 12A 80W 50ns 10m
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2SD1894 , MAT - Si-N 160V 7A 70W 20MHz
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BDW83C - n-darl 100V 15A 150W
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BDW83C - n-darl 100V 15A 150W
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BU2520DX , Philips - Si-N+d 1500V 10A 45W 0.35
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BU2520DX , Philips - Si-N+d 1500V 10A 45W 0.35
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BU4525AX , Philips - Si-N 1500V 12A 45W 0.55us
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BU4525AX , Philips - Si-N 1500V 12A 45W 0.55us
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2N4392 - N-FET 40V 25mA 60e up<5V
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2N4392 - N-FET 40V 25mA 60e up<5V
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2SA1294 , Sanken - Si-P 230V 15A 130W
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2SA1294 , Sanken - Si-P 230V 15A 130W
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2SC3073 , Toshiba - Si-N 30V 3A 15W 100MHz
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2SC3073 , Toshiba - Si-N 30V 3A 15W 100MHz
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2SC4056-SHI - Si-N 600V 8A 45w
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2SC4056-SHI - Si-N 600V 8A 45w
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2SC5030 , Toshiba - Si-N 50V 5A 1.3W 150MHz
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2SC5030 , Toshiba - Si-N 50V 5A 1.3W 150MHz
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2SD768 , Hitachi - n-darl+d 120V 6A 40W b>1K
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2SD768 , Hitachi - n-darl+d 120V 6A 40W b>1K
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BSS92 - p-fet 200V 0.15A 1W 38/45
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BSS92 - p-fet 200V 0.15A 1W 38/45
Transistor. P-FET 200V 0.15A 1W 38/45ns. Case: to92.
BU426A - Si-N 900V 6A 114w
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BU426A - Si-N 900V 6A 114w
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BU801 , ST - Si-N+d 600V 3A 40W
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BU801 , ST - Si-N+d 600V 3A 40W
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IRFP450 - N-FET 500V 14A 180W 0e4
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IRFP450 - N-FET 500V 14A 180W 0e4
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P5NB60FP - N-FET 600V 2.7A 40W <2e2
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P5NB60FP - N-FET 600V 2.7A 40W <2e2
N-FET 600V 2.7A 40W
2SB546A , NEC - Si-P 200V 2A 25W 5MHz
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2SB546A , NEC - Si-P 200V 2A 25W 5MHz
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